三星IBM联合VTFET芯片构架 能耗减少85%

12月17日消息，三星和IBM宣布推出了全新的半导体设计——使用垂直晶体管构架的垂直传输效应晶体管——VTFET。

两家公司表示，和原本的缩放鳍式场效应晶体管 (finFET)相比，全新的构架可以将能源消耗减少85%，此外三星还公布了一项用于IBM服务器芯片的生产计划，将采用5nm工艺生产。

VTFET是一种在芯片表面垂直叠堆晶体管的技术，以前晶体管的制造成平面放在芯片上，电流横向流过，而借助VTFET，三星和IBM成功实现垂直表面构建晶体管，并且具有垂直上下的电流通过。

VTEFT解决了当前芯片工艺中许多性能障碍和限制，以扩展摩尔定律，因为芯片的设计试图将更多的晶体管装入到固定的空间中，从而减少能源的浪费。从技术参数来看，全新的构架将提高能源的使用率，并减少85%的能源浪费。

IBM和三星电子在美国纽约州的奥尔巴尼纳米技术研究中心联合开发了 VTFET 技术。

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